Exceptional operative gate voltage induces negative bias temperature instability (NBTI) on n-type trench DMOS transistors.

• Autores: S. Aresu, W. Kanert, R. Pufall, M. Goroll
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1416-1418
• Idioma: inglés
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