Two-dimensional numerical simulations of 1/f noise by GR mechanisms in thin film transistors: Effects of induced defect technology.

• Autores: A. Boukhenoufa, L. Pichon, C. Cordier
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1419-1423
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)