Analysis of hot carrier effects in a 0.35 µm high voltage n-channel LDMOS transistor.

• Autores: H. Enichlmair, S. Carniello, J.M. Park, R. Minixhofer
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1439-1443
• Idioma: inglés
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