A novel SIMS based approach to the characterization of the channel doping profile of a trench MOSFET.

• Autores: R. Zelsacher, A.C.G. Wood, E. Bacher, E. Prax, K. Sorschag, J. Krumrey, J. Baumgartl
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1585-1589
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)