A 2D threshold-voltage model for small MOSFET with quantum-mechanical effects.

• Autores: J.P. Xu, Y.P. Li, P.T. Lai, W.B. Chen, S.G. Xu, J.G. Guan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 1, 2008, págs. 23-28
• Idioma: inglés
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