Investigation of hot carrier degradation in asymmetric nDeMOS transistors.

• Autores: Q. Yang, L. Sun, Andrew Yap
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 508-513
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)