Effects of Ti content and wet-N2 anneal on Ge MOS capacitors with HfTiO gate dielectric.

• Autores: C. X. Li, X. Zou, P.T. Lai, J.P. Xu, C.L. Chan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 526-530
• Idioma: inglés
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