Insights on trap generation and breakdown in ultra thin SiO2 and SiON dielectrics from low voltage stress-induced leakage current measurements.

• Autores: P.E. Nicollian
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1171-1177
• Idioma: inglés
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