Reliability investigations of 850 nm silicon photodiodes under proton irradiation for space applications.

• Autores: M.L. Bourqui, L. Béchou, O. Gilard, Y. Deshayes, P. Del Vecchio, L.S. How, F. Rosala, Y. Ousten, A. Touboul
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1202-1207
• Idioma: inglés
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