PMOS breakdown effects on digital circuits � Modeling and analysis.

• Autores: W. Kuang, L. Cao, C. Yu, J.S. Yuan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1597-1600
• Idioma: inglés
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