Leakage currents and dielectric breakdown of Si1-x-yGexCy thermal oxides.

• Autores: A. Cuadras, B. Garrido, Joan Ramon Morante i Lleonart, L. Fonseca
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1635-1640
• Idioma: inglés
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