Drain current saturation at high drain voltage due to pinch off instead of velocity saturation in sub-100 nm metal�oxide�semiconductor transistors.

• Autores: W.S. Lau, P. Yang, J.Z. Chian, V. Ho, C.H. Loh, S.Y. Siah, L. Chan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 1-7
• Idioma: inglés
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