Hot-carrier reliability and breakdown characteristics of multi-finger RF MOS transistors.

• Autores: H. Wong, Y. Fu, J.J. Liou, Y. Yue
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 13-16
• Idioma: inglés
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