J.J. Liou

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  • Characteristics of ESD protection devices operated under elevated temperatures

    Wei Liang, Aihua Dong, Hang Li, Meng Miao, Chung-Chen Kuo, Maxim Klebanov, J.J. Liou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 66, 2016, págs. 46-51

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  • Very small snapback silicon-controlled rectifier for electrostatic discharge protection in 28 nm processing

    Weihuai Wang, Hao Jin, Wei Guo, Shurong Dong, Wei Liang, J.J. Liou, Yan Han

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 61, 2016, págs. 106-110

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  • Indirect fitting procedure to separate the effects of mobility degradation and source-and-drain resistance in MOSFET parameter extraction.

    A. Ortiz-Conde, F.J. García-Sánchez, J. Muci, D.C. Lugo Muñoz, A.D. Latorre Rey, C.-S. Ho, J.J. Liou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 7, 2009, págs. 689-692

    

  • Hot-carrier reliability and breakdown characteristics of multi-finger RF MOS transistors.

    H. Wong, Y. Fu, J.J. Liou, Y. Yue

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 13-16

    

  • Investigation of diode geometry and metal line pattern for robust ESD protection applications.

    Y. Li, J.J. Liou, J. Vinson

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1660-1663

    

  • InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor and RF power amplifier reliability.

    X. Liu, J.S. Yuan, J.J. Liou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1212-1215

    

  • Evaluation of RF electrostatic discharge (ESD) protection in 0.18-µm CMOS technology.

    X. Du, S. Dong, Y. Han, J.J. Liou, M. Huo, Y. Li, Q. Cui, D. Huang, D. Wang

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 7, 2008, págs. 995-999

    

  • Reliability study of ultrathin oxide films subject to irradiation-then-stress treatment using conductive atomic force microscopy.

    Y.-L. Wu, S.-T. Lin, T.-M. Chang, J.J. Liou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 419-421

    

  • Characterization and modeling of flicker noise in junction field-effect transistor with source and drain trench isolation.

    Y. Fu, H. Wong, J.J. Liou

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 1, 2007, págs. 46-50

    

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