Indirect fitting procedure to separate the effects of mobility degradation and source-and-drain resistance in MOSFET parameter extraction.

• Autores: A. Ortiz-Conde, F.J. García-Sánchez, J. Muci, D.C. Lugo Muñoz, A.D. Latorre Rey, C.-S. Ho, J.J. Liou
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 7, 2009, págs. 689-692
• Idioma: inglés
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