Evaluation of RF electrostatic discharge (ESD) protection in 0.18-µm CMOS technology.

• Autores: X. Du, S. Dong, Y. Han, J.J. Liou, M. Huo, Y. Li, Q. Cui, D. Huang, D. Wang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 7, 2008, págs. 995-999
• Idioma: inglés
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