Formation of Ohmic contacts in AlGaN/GaN HEMT structures at 500 °C by Ohmic contact recess etching.

• Autores: W.S. Lau, J.B.H. Tan, B.P. Singh
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 558-561
• Idioma: inglés
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