A new two-dimensional subthreshold behavior model for the short-channel asymmetrical dual-material double-gate (ADMDG) MOSFET's

• Autores: T.-K. Chiang
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 7, 2009, págs. 693-698
• Idioma: inglés
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