The influence of electron-beam irradiation on electrical characteristics of metal insulator semiconductor capacitors based on a high-k dielectric stack of HfTiSiO(N) and HfTiO(N) layers.

• Autores: P. Thangadurai, W.D. Kaplan, V. Michelashvili, Gadi Eisenstein
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 7, 2009, págs. 716-720
• Idioma: inglés
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