A study on the improved programming characteristics of flash memory with Si3N4/SiO2 stacked tunneling dielectric.

• Autores: L. Liu, J.P. Xu, L.L. Chen, P.T. Lai
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 8, 2009, págs. 912-915
• Idioma: inglés
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