Electrical aging behavioral modeling for reliability analyses of ionizing dose effects on an n-MOS simple current mirror.

• Autores: C. Bestory, F. Marc, S. Duzellier, H. Levi
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 946-951
• Idioma: inglés
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