NBTI and hot carrier effect of SOI p-MOSFETs fabricated in strained Si SOI wafer.

• Autores: Y.W. Jeon, D.H. Ka, C.G. Yu, W.-J. Cho, M. Saif Islam, J.T. Park
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 994-997
• Idioma: inglés
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