Effects of electromagnetic near-field stress on SiGe HBT�s reliability.

• Autores: A. Alaeddine, M. Kadi, K. Daoud, B. Mazari
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1029-1032
• Idioma: inglés
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