NBTI and hot-carrier effects in accumulation-mode Pi-gate pMOSFETs.

• Autores: C.-W. Lee, I. Ferain, A. Afzalian, R. Yan, N. Dehdashti, P. Razavi, J.-P. Colinge, J.T. Park
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1044-1047
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)