Molecular Dynamics Calculation Studies of Interstitial-Si Diffusion and Arsenic Ion Implantation Damage

• Autores: M. Hane, T. Ikezawa, A. Furukawa
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 8, 2000, págs. 1247-1252
• Idioma: inglés
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