1/f-Noise Characteristics in 100 nm-MOSFETs and Its Modeling for Circuit Simulation

• Autores: T. Kitamura, M. Miura Mattausch, H. J. Mattausch, T. Ohguro, S. Kumashiro, S. Matsumoto, H. Ueno, S. Hosokawa
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 2, 2005, pág. 247
• Idioma: inglés
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