Periodo de publicación recogido
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Compact modeling of dynamic trap density evolution for predicting circuit-performance aging
M. Miura Mattausch, H. Miyamoto, H. Kikuchihara, T.K. Maiti, N. Rohbani, D. Navarro, H. J. Mattausch
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 164-175
A Reliability-Enhanced TCAM Architecture with Associated Embedded DRAM and ECC
T. Koide, F. Morishita, H. Noda, K. Dosaka, H. J. Mattausch
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 11, 2006, págs. 1612-1619
A CAM-Based Signature-Matching Co-processor with Application-Driven Power-Reduction Features
H. J. Mattausch, K. Inoue, H. Noda, K. Arimoto
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 6, 2005, pág. 1332
A Compact Model of the Pinch-off Region of 100 nm MOSFETs Based on the Surface-Potential
K. Hisamitsu, H. Ueno, M. Miura Mattausch, H. J. Mattausch, S. Kumashiro, D. Navarro, T. Mizoguchi, M. Suetake
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 5, 2005, pág. 1079
Embedded Low-Power Dynamic TCAM Architecture with Transparently Scheduled Refresh
T. Koide, K. Dosaka, K. Arimoto, K. Fujishima, H. Noda, K. Inoue, H. J. Mattausch
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 4, 2005, pág. 622
1/f-Noise Characteristics in 100 nm-MOSFETs and Its Modeling for Circuit Simulation
T. Kitamura, M. Miura Mattausch, H. J. Mattausch, T. Ohguro, S. Kumashiro, S. Matsumoto, H. Ueno, S. Hosokawa
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 2, 2005, pág. 247
H. J. Mattausch, K. Kishi, T. Gyohten
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 3, 2001, págs. 410-417
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