A Test Structure to Analyze Highly-Doped-Drain and Lightly-Doped-Drain in CMOSFET

• Autores: K. Komoku, T. Matsuda, T. Ohzone, K. Okada, T. Morishita
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 9, 2006, págs. 1351-1357
• Idioma: inglés
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