Resumen de Caracterizacion de capacitores MOS basados en películas de óxido de hafnio obtenidas a 150◦C
S. Cerón, J. Hernández, M.A. Domínguez-Jiménez
- español
En este trabajo, se describe la fabricación y caracterización de capacitores MOS con óxido de hafnio como dieléctrico obtenido a 150 ºC. La obtención de películas delgadas de óxido de hafnio se realizó mediante spin-coating con un tratamiento térmico a 150 ºC. Los capacitores MOS fueron caracterizados empleando mediciones de capacitancia vs. voltaje, capacitancia vs. frecuencia y corriente eléctrica vs. voltaje. Los resultados demuestran la viabilidad de la película de óxido de hafnio como dieléctrico en dispositivos electrónicos.
- English
The fabrication and characterization of MOS capacitors with Hafnium Oxide as dielectric obtained at 150 ºC is described. The Hafnium Oxide thin films were obtained by spin-coating. The MOS capacitors were characterized employing measurements of capacitance vs. voltage, capacitance vs. frequency and current vs. voltage. The results demonstrate the feasibility of Hafnium Oxide film as a dielectric in electronic devices.
