Efectos de resistencias y capacidades parásitas sobre la respuesta temporal de los mosfets

• Autores: Lluís Ribas Xirgo, Josep Ma. Pérez, Jordi Riera Baburés, J. Carrabina, Lluís Terés Terés
• Localización: Diseño de circuitos integrados: actas del VI Congreso. Santander, 11/15 de noviembre de 1991, 1991, ISBN 84-87412-61-0, págs. 87-91
• Idioma: español
• Texto completo no disponible (Saber más ...)
• Resumen

  • Se presenta una expresión de la respuesta temporal de un transistor que tiene en cuenta la resistencia de drenador y fuente. Los efectos de estas resistencias parásitas pueden hacerse más notables cuanto más grande sea el tamaño del transistor considerado. Por ello, esta expresión es de especial interés en circuitos donde los dispositivos empleados puedan tener tamaños relativamente grandes.