Caracterización de defectos en circuitos CMOS para detección Iddq

• Autores: A. Álvarez, Carles Ferrer, N. Fàbregas, Joan Oliver Malagelada, M. Rullán
• Localización: Diseño de circuitos integrados: actas del VI Congreso. Santander, 11/15 de noviembre de 1991, 1991, ISBN 84-87412-61-0, págs. 171-175
• Idioma: español
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• Resumen

  • El uso del modelo de fallos stuck-at en el test de circuitos integrados CMOS presenta una serie de deficiencias para la detección de defectos físicos como pueden ser las rupturas de óxido de puerta, puertas flotantes y puentes entre nodos que actualmente representan un alto porcentaje de los fallos en los nuevos CIs de alta escala de integración. El estudio de las características que presentan los dispositivos afectados por estos fallos da a entender que una estrategia adecuada para ponerlos en evidencia puede ser la medida del consumo de corriente de alimentación en estado estático de forma simultánea a la realización de un test clásico.