Diseño de memorias RAM estáticas BiCMOS de doble puerto

• Autores: María Luisa López Vallejo, Rafael Burriel Lluna, Octavio Nieto-Taladriz
• Localización: VIII Congreso Diseño de Circuitos Integrados: Málaga, 9 al 11 de noviembre de 1993, 1993, págs. 20-24
• Idioma: español
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• Resumen

  • Las memorias que se integran en circuitos de aplicación específica (ASIC´s) suelen presentar dimensiones que abarcan un amplio margen de valores. En la mayoría de los casos el diseñador se ve obligado a confeccionar su propia memoria, recurriendo normalmente a la ayuda de un generador. Las memorias RAM estáticas de alta velocidad y doble puerto son muy utilizadas en los diseños actuales, siendo la tecnología BiCMOS la más adecuada para conseguir tiempos de acceso pequeños sin que el consumo de potencia y área excedan niveles razonables. El trabajo que se presenta en este documento es una guía para diseñar memorias RAM estáticas de doble puerto "a medida". Como aplicación, se ha construido un prototipo con tecnología BiCMOS de 2µ; es una RAM estática de doble puerto de 512x4-bit que presenta un tiempo de acceso de 12 ns.