Resultados de ensayos de fiabilidad en memorias SRAM

• Autores: M.A. García, Enrique Cordero, Q. Pérez, Juan Barbero Gonzalez, José Emilio Vila Aresté, J. Soria
• Localización: VIII Congreso Diseño de Circuitos Integrados: Málaga, 9 al 11 de noviembre de 1993, 1993, págs. 306-312
• Idioma: español
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• Resumen

  • En el presente trabajo se ha realizado un estudio de la fiabilidad de tres diferentes fabricantes de memorias RAM estáticas de 32K x 8. Con objeto de obtener los datos de calidad y fiabilidad requeridos, se ha llevado a cabo un programa de pruebas eléctricas, de vida acelerada y de caracterización tecnológica. Los componentes que han fallado durante las pruebas de vida han sido analizados con objeto de determinar el modo, mecanismo y causa de los fallos. Asímismo, se han estudiado los componentes que han resistido los ensayos acelerados, con la intención de averiguar si sufrieron algún tipo de daño o degradación durante la prueba.

    Los principales resultados obtenidos: a) El tiempo medio hasta el fallo (MTTF) de las memorias supera, en los tres fabricantes estudiados, los cincuenta años. b) El mecanismo de fallo predominante es la contaminación iónica. c) La fiabilidad en los tres fabricantes no se ve afectada ni por el método de soldadura, ni por el encapsulado empleado.