Efectos de la radiación en tecnologías digitales CMOS

• Autores: E. García, Benjamín Iñiguez Nicolau, Miquel Roca Adrover, S. Sureda, J. Segura
• Localización: Actas del IX Congreso de Diseño de Circuitos Integrados, 9, 10 y 11 de noviembre de 1994, Maspalomas, Gran Canaria, 1994, págs. 345-350
• Idioma: español
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• Resumen

  • En este trabajo se analizan los efectos que puede producir la radiación sobre circuitos integrados CMOS. Se presentan resultados experimentales de los efectos de la radiación sobre transistores MOS en tecnología ES2 (1.5 μm), así como modelos analíticos para la justificación de los resultados obtenidos. Se aplican los resultados a circuitos básicos CMOS digitales, y se analizan los efectos sobre estos. Entre otros efectos se observa un aumento considerable en los tiempos de retardo de los circuitos, previos a la aparición de errores lógicos en su comportamiento. Basándose en los anteriores resultados experimentales se ha diseñado un sensor de radiación con salida digital, que cambia de estado cuando la dosis absorbida alcanza un valor crítico, el cual puede modificarse para cada aplicación concreta.