Design of a-Si:H/GaAs heterojunction bipolar transistors with improved DC and AC characteristics

• Autores: F. Pezzimenti, F. G. D. Corte
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 150, Nº 4, 2003, págs. 350-354
• Idioma: inglés
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