Numerical modeling of radiation-induced charge loss in CMOS floating gate cells

Sambuco Salomone, Lucas ^[1] ; Garcia-Inza, Mariano ^[1] ; Carbonetto, Sebastián ^[1] ; Faigón, Adrián ^[1]
1. [1] Universidad de Buenos Aires
  
  Universidad de Buenos Aires
  
  Argentina
Localización: Elektron: ciencia y tecnología en la electrónica de hoy, ISSN-e 2525-0159, Vol. 5, Nº. 2, 2021, págs. 100-104
Idioma: inglés
Títulos paralelos:
- Modelización numérica de la pérdida de carga inducida por radiación en celdas CMOS de puerta flotante
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Resumen
- español
  Mediante un modelo numérico desarrollado recientemente y basado en principios físicos, se estudia la respuesta a la radiación de celdas de compuerta flotante programadas/borradas. El rol que juega la captura de carga en los óxidos en el desplazamiento total de la tensión umbral con la dosis es debidamente evaluado a través de la variación de la tasa de captura de los huecos generados por radiación. Se considera un modelo analítico simplificado y se discuten sus limitaciones.
- English
  The radiation response of programmed/erased floating gate cells is studied by numerical simulations through a recently developed physics-based numerical model. The role played by oxide trapped charge in the overall threshold voltage shift with dose is properly evaluated by varying the capture rate of radiation-generated holes. A simplified analytical model is considered, and its limitations are discussed.