Phosphorus ion implantation and POCl<sub>3</sub> doping effects of n<sup>+</sup>-polycrystalline-silicon/high-k gate dielectric (HfO<sub>2</sub> and Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>) films
- Autores: Dietrich Jihoon Choi, Dietrich Doo Seok Jeong, Dietrich Chihoon Lee, Dietrich Moonju Cho
- Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 84, Nº. 15, 2004, págs. 2868-2870
- Idioma: inglés
- Texto completo no disponible (Saber más ...)
¿Es nuevo? Regístrese
Ventajas de registrarse
