Analysis of RF Scattering Parameters and Noise and Power Performances of RF Power MOS in 0.15-mum W CMOS Technology for RF SOC Applications

• Autores: Y. S. Lin
• Localización: Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 41, Nº. 3, 2004, págs. 191-195
• Idioma: inglés
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