Y. S. Lin

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• Artículos de revistas

  • An analysis of layout and temperature effects on magnetic-coupling factor, resistive-coupling factor, and power gain performances of RF transformers for RFIC applications

    Y. R. Tzeng, H. B. Liang, Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 48, Nº. 8, 2006, págs. 1460-1466

    

  • Temperature Dependence of the Power Gain and Scattering Parameters S~1~1¿ and S~2~2 of an RF nMOSFET with Advanced RF-CMOS Technology

    Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 44, Nº. 2, 2005, págs. 180-185

    

  • A High-Linearity Micromixer for 5-GHz-Band WLAN Applications Using 0.35-mum SiGe BiCMOS Technology

    C. C. Chen, Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 45, Nº. 6, 2005, págs. 499-502

    

  • A 5.2-GHz Low-Power Low-Noise Amplifier Using InGaP-GaAs HBT Technology

    Y. S. Lin, S.-S. Lu, C.-L. Tai

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 45, Nº. 5, 2005, págs. 425-427

    

  • A Concurrent Multiband SiGe LNA for 1.8/1.9-GHz GSM, 2.4/5.2/5.7- GHz WLAN, and 5-7-GHz Ultrawideband (UWB) System Applications

    Y. S. Lin, K.-N. Liao

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 47, Nº. 1, 2005, págs. 36-41

    

  • High-Quality-Factor (33) and High-Resonant-Frequency (35 GHz) Spiral Inductors Fabricated in 0.25-mu.m Mixed-Signal/RF-CMOS Technology

    H.-W. Chiu, S.-H. Wu, Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 41, Nº. 4, 2004, págs. 279-285

    

  • Analysis of RF Scattering Parameters and Noise and Power Performances of RF Power MOS in 0.15-mum W CMOS Technology for RF SOC Applications

    Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 41, Nº. 3, 2004, págs. 191-195

    

  • A 3-mW Concurrent 2.4/5.2-GHz DuaI-Band Low-Noise Amplifier for WLAN Applications in 0.18-um CMOS Technology

    T. H. Lee, Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 42, Nº. 4, 2004, págs. 287-292

    

  • A Monolithic 1.57/5.25-GHz Concurrent Dual-Band Low-Noise Amplifier Using InGaP/GaAs HBT Technology

    S.-S. Lu, B.-W. Lee, Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 42, Nº. 1, 2004, págs. 58-60

    

  • AN InGaP-GaAs HBT LOW-NOISE AMPLIFIER FOR 2.4/5.2/5.7-GHZ WLAN APPLICATIONS

    C. C. Chen, Y. S. Lin

    Microwave and optical technology letters, ISSN 0895-2477, Vol. 43, Nº. 6, 2004, págs. 539-543

    

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