New anode design concept of 600 V thin wafer PT-IGBT with very low dose P-buffer and transparent P-emitter

• Autores: T. Matsudai, S. Umekawa, M. Tsukuda
• Localización: IEE Proceedings: Circuits, devices and systems, ISSN 1350-2409, Vol. 151, Nº 3, 2004, págs. 255-258
• Idioma: inglés
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