Periodo de publicación recogido
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Impacts of NBTI and PBTI on SRAM static/dynamic noise margins and cell failure probability.
A. Bansal, Rajesh A. Rao, J.-J. Kim, S. Zafar, J.H. Stathis, C.-T. Chuang
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 6, 2009, págs. 642-649
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