K. Nishihori

• Artículos de revistas (3)

• Artículos de revistas

  • Numerical Analysis of the Effect of P-Regions on the I-V Kink in GaAs MESFETs

    K. Nishihori, Y. Miyamoto

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 8, 2007, págs. 1643-1649

    

  • A 15-50 GHz-Band GaAs MMIC Variable Attenuator with 20-dB Attenuation Control

    K. I. Arai, K. Nishihori, Shinya Watanabe, F. Sasaki

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1543-1547

    

  • A Buried-Channel Self-Aligned GaAs MESFET with High Power-Efficiency and Low Noise-Figure for 1.9-GHz SIngle-CHip Front-End MMICs

    K. Nishihori

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 12, 1997, págs. 1586-1591

    

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