Y. Miyamoto

• Artículos de revistas (5)

• Artículos de revistas

  • Numerical Analysis of the Effect of P-Regions on the I-V Kink in GaAs MESFETs

    K. Nishihori, Y. Miyamoto

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 8, 2007, págs. 1643-1649

    

  • Current Gain and Voltage Gain in Hot Electron Transistors without Base Layer

    M. Ishida, N. Machida, K. Furuya, Y. Miyamoto, R. Nakagawa, I. Kashima

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 7, 2006, pág. 972

    

  • InP DHBT with 0.5mum Wide Emitter along <010> Direction toward BM-HBT with Narrow Emitter

    Y. Harada, Y. Miyamoto, K. Furuya, T. Arai, S. Yamagami, Y. Okuda

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1394-1398

    

  • High Power Tolerant Optical Duobinary Signal Transmission

    A. Sano, H. Toba, M. Yoneyama, Anne Matsuura, K. Yonenaga, Y. Miyamoto

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 5, 2001, págs. 547-552

    

  • InP/InGaAs Uni-Traveling-Carrier Photodiodes

    S. Kodama, H. Ito, T. Nagatsuma, N. Shimizu, Y. Miyamoto, T. Ishibashi, T. Furuta, H. Fushimi

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 6, 2000, págs. 938-949

    

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