Periodo de publicación recogido
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Field and hot electron-induced degradation in GaN-based power MIS-HEMTs
Alaleh Tajalli, Matteo Meneghini, Isabella Rossetto, Peter Moens, Abhishek Banerjee, Enrico Zanoni, Gaudenzio Meneghesso
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 282-286
Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate
Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, Davide Bisi, Isabella Rossetto, Tian-Li Wu, Marleen Van Hove, Denis Marcon, Steve Stoffels, Stefaan Decoutere, Enrico Zanoni
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 58, 2016, págs. 151-157
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