Periodo de publicación recogido
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Modeling the cyclic relaxation behavior of the artificial discontinuity
Qingzhao Zhang, Zejun Luo, Cheng Zhao, Bo-An Jang, Rui Zhang
Mechanics of advanced materials and structures, ISSN 1537-6494, Vol. 28, Nº. 2, 2021, págs. 111-117
Kexin Yang, Taizhi Liu, Rui Zhang, Dae Hyun Kim, Linda Milor
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 81-86
Rui Zhang, Taizhi Liu, Kexin Yang, Linda Milor
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 87-91
Gate length dependence of bias temperature instability behavior in short channel SOI MOSFETs
Wangran Wu, H.J. Lu, Chang Liu, Heng Wu, Xiaoyu Tang, Jiabao Sun, Rui Zhang, Wenjie Yu, Xi Wang, Yi Zhao
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 62, 2016, págs. 79-81
Anjun Jiao, Sangkwon Jeong, Rui Zhang
Applied thermal engineering, ISSN 1359-4311, Vol. 23, Nº 10, 2003, págs. 1235-1246
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