Resumen de Diseño y caracterización del proceso de deposición por L.P.C.V.D. del SiO2 dopado para su utilización en tecnologías U.L.S.I
Elias Paule Vázquez
Se ha diseñado un reactor para la deposicion del oxido de silicio dopado con boro y fosforo en substratos (*) de 150 mm de diametro y para ser utilizado en tecnologias submicronicas. Los reactivos utilizados han sido tmb, teos, ph3 y o2; la reaccion se activo termicamente y fue realizada a baja presion (lpcvd). Las propiedades de este material (bpteos) son sensiblemente superiores al material que se obtiene de la reaccion quimica sih4, ph3, b2h6 y o2; bpsg; y que se utiliza tradicionalmente en tecnologias superiores a la micra. Por ello este material (bpteos) es factiale de ser utilizado en tecnologias suamicronicas.
