Filamentos conductores de ruptura dieléctrica en aislantes delgados
- Autores: Xavier Saura Mas
- Directores de la Tesis: Jorge Francisco Suñe Tarruella (dir. tes.), Enrique Alberto Miranda (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 2014
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Montserrat Nafria i Maqueda (presid.), Angel Rodriguez Martinez (secret.), Santiago Marco Colás (voc.)
- Materias:
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- Resumen
La industria micro y nanoelectrónica requiere de múltiples líneas de investigación para la introducción de continuas mejoras en los dispositivos en términos de rendimiento, funcionalidad y escalabilidad. Una de estas mejoras se centra en la idea de utilizar el fenómeno de la ruptura dieléctrica como principio de operación de dispositivos electrónicos. Esta idea ha generado mucho interés recientemente, especialmente en el campo de las memorias no volátiles. Así, la investigación realizada a lo largo de esta tesis doctoral gira en torno a la ruptura dieléctrica de óxidos de alta permitividad y la posterior conducción filamentaria observada en capacidades metal-aislante-semiconductor (MOS) y metal-aislante-metal (MIM). En concreto, este trabajo se ha centrado en el estudio de tres principales objetivos que han concluido con la publicación de varios artículos, los cuales han permitido presentar esta tesis como compendio de publicaciones. Por un lado, se muestran los resultados del estudio realizado en relación con el fenómeno de conmutación resistiva observado en capacidades MOS, poniendo especial interés en el fenómeno de Threshold Switching el cual ha sido analizado en términos del modelo de contacto puntual cuántico. Por otro lado, se describen los resultados obtenidos en relación con el estudio y exploración del efecto de campo sobre caminos de ruptura dieléctrica generados en estructuras MIM planares. Para ello se ha realizado el diseño, simulación, fabricación y caracterización de varios dispositivos específicos cuyas dimensiones críticas son del orden de pocos nanómetros. De la caracterización de estas estructuras se han obtenido resultados que muestran indicios del efecto de campo sobre dichos caminos. Por último, se analiza la estadística espacial y temporal de múltiples caminos de ruptura observados en el electrodo superior de capacidades MOS y MIM obtenidos a partir del estrés eléctrico aplicado sobre las mismas. En este sentido, se han desarrollado tres métodos de análisis de distribuciones estadísticas para detectar posibles desviaciones respecto a un proceso aleatorio espacial completo: el primero basado en las distancias entre filamentos vecinos de orden k; el segundo relacionado con la caracterización espacio-temporal de los filamentos; y por último un método en el que se han desarrollado expresiones para el estudio de las distribuciones estadísticas de las distancias y ángulos de los spots en relación a un punto fijo asociado a la punta de inyección de carga utilizada para la generación de los eventos.
