J.-M. Peter
pág. 1
págs. 20-22
Today's and tomorrow's industrial utilization of silicon carbide semiconductor power devices
D. Stephani
págs. 23-24
Limiteur de courant en carbure de silicium
D. Tournier, P. Godignon
págs. 25-30
Methode originale de mesure des decharges partielles dans les modules de puissance haute tension
S. Dinculescu, T. Lebey, D. Malec
págs. 31-36
págs. 37-44
Banc de cyclage actif pour l'analyse de la fatigue thermique des brasures de composants IGBTs
S. Lefebvre, L. Dupont
págs. 45-51
Simulation electro-thermo-fluidique d'un bras d'onduleur a IGBT fonctionnent en MLI
H. Feral, F. Richardeau, J.-P. Fradin
págs. 52-59
Serial connection of SiC VJFETs - features of a fast high voltage switch
P. Friedrichs, R. Elpelt
págs. 60-67
págs. 73-88
págs. 90-96
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