Characterization of charge trapping in SiO2/Al2O3 dielectric stacks by pulsed C¿V technique.

• Autores: G. Puzzilli, B. Govoreanu, F. Irrera, M. Rosmeulen, J.V. Houdt
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 508-512
• Idioma: inglés
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