Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45 V Vt Ni-FUSI CMOS transistors.

• Autores: A. Rothschild, R. Mitsuhashi, C. Kerner, X. Shi, J.L. Everaert, L. Date, T. Conard, O. Richard, C. Vrancken, R. Verbeeck, A. Veloso, A. Lauwers, M. De Potter, I. Debusschere, M. Jurczak, M. Niwa, P. Absil, S. Biesemans
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 521-524
• Idioma: inglés
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